- 标准编号：GB/T 4326-1984
- 其他标准名称：Extrinsic semiconductor single crystals--measurement of Hall mobility and Hall coefficient
- 标准类型：国家标准
- 关键词：测量 ; 半导体 ; 试样制备 ; 非本征半导体单晶 ; 霍尔迁移率 ; 霍尔系数 ; 测量仪器
- 发布日期：1984-04-12
- 实施日期：1985-03-01
- 摘要：本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数,因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。
- 标准分类：方法
- CCS：H21
- 英文关键词：SPECIMEN PREPARATION ; SEMICONDUCTORS ; MEASUREMENT ; MEASURING INSTRUMENTS
- 起草单位：有色金属研究总院
- 归口单位：中国有色金属工业协会
- 主管单位：中国有色金属工业协会
- 执行单位：中国有色金属工业协会
- 标准状态：无效
- 页数：11
- 发布年份：1984
- 作废日期：2006-12-31
- 部分代替标准：,
- 被代替标准：GB/T 4326-2006
- 适用范围：本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数,因此本标准也分别适用于这些参数的测量。