SIMS分析在LED外延材料研发中的应用

作者：张萌闫莉维潘拴李丹
会议时间：2014-12-01
关键词：发光二极管 ; 外延材料 ; 生长机理 ; 二次离子质谱法
作者单位：南昌大学,国家硅基LED工程技术研究中心,江西省南昌市青山湖区南京东路235号,330047
母体文献：第十四届全国金相与显微分析学术年会论文集
会议名称：第十四届全国金相与显微分析学术年会
会议地点：厦门
主办单位：中国体视学学会
语种：chi
分类号：TN3;TN4

摘要

本文结合实例讨论了SIMS分析在研究外延材料生长机理的应用.外延层是LED的核心,LED的发光波长、亮度和正向电压等光电性能均取决于外延材料的质量.通常外延层的总厚度不足10微米,其中却包含了几十层薄膜,各层的组分、掺杂、厚度以及杂质都有所不同,非常复杂.要获得外延层各组分及掺杂元素的分布信息,SIMS是目前最为有效的手段.