以Cu_2Se和Bi_2Te_3为基底的纳米拓扑绝缘体电磁吸收的研究

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	作者：曹扬 ; 李倩 ; 蒋虎 ; 仲德晗 ; 沈柔 ; 董莹 关键词：拓扑绝缘体 ; 球磨时间 ; 晶粒尺寸 ; 电磁吸收 中文刊名：TXSJ 英文刊名：Telecom World 机构：沈阳理工大学理学院; 出版日期：2019-05-21 出版单位：通讯世界 年：2019 期：v.26;No.348 基金：2017年沈阳理工大学辽宁省省级大学生创新创业训练计划项目(201710144052) 语种：中文; 页：TXSJ201905189 页数：2 CN：05 ISSN：11-3850/TN 分类号：297-298

摘要

采用球磨法在Ar气环境保护下制备以Cu_2Se和Bi_2Te_3为基底的纳米拓扑绝缘体材料。研究上述两种材料的球磨时间等工艺因素对其纳米拓扑绝缘体的相结构和晶粒尺寸的影响;以研究两种材料的晶粒尺寸对介电常数、磁导率、介电共振及电磁损耗的影响。实验结果表明:Bi_2Te_3纳米材料经1h球磨,其衍射峰强度明显强于经5h球磨的,且布拉格衍射峰宽度更窄,表明其晶粒尺寸大,微观应力作用偏小;而在磁性方面以Cu_2Se为基底材料的饱和磁化强度较大,矫顽力较小;相比于Cu_2Se材料,Bi_2Te_3有较好的电磁吸波性能,且材料的吸波性能随球磨时间的增加有显著的提高。
        

引文

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