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1.
基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真
作者:
陈治西
;
刘强
;
任青华
;
刘晨鹤
;
赵兰天
;
俞文杰
;
闵嘉华
关键词:
隧穿场效应晶体管(TFET)
;
总剂量(TID)效应
;
开关特性
;
能带结构
;
阈值电压
年:2019
2.
氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究
作者:
刘沙沙
;
秦福文
;
朱巧智
;
刘冰冰
;
汤斌
;
王德君
关键词:
二氧化硅/碳化硅界面
;
金属氧化物半导体电容
;
氮钝化
;
界面态密度
;
Gray-Brown法
年:2013
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